AI产业蓬勃发展，算力需求持续攀升，数据中心行业遭遇功耗、能效、散热等多重挑战，SiC技术成为破局的关键。6月3日，方正微电子亮相第12届上海国际数据中心产业展，以SiC助力AI智算为主题，展出多场景的SiC芯片产品矩阵，电压范围覆盖650V-2300V，包含多种器件封装（TO247-4、TO247-3、TO263-7、TSCPAK、TOLL、QDPAK等）及模组封装（EASY2B、EASY3B、DIP32、TPAK、HPD、HPDMINI等）。现场依托数据中心模型，直观地呈现出SiC从电网端到算力终端的全链路应用价值。
01、AI服务器电源：赋能算力
GPU集群要求的功率密度和效率，传统硅基器件已逼近物理，难以匹配高负荷算力运转需求。
方正微电子SiC芯片凭借低导通电阻及高频切换特性，可进一步提升电源整体效率，同时降低设备运行损耗、简化散热结构。基于AI服务器应用而陈列的：
•SiCMOSFET:1200V20mΩ/30mΩ/
•35mΩ/60mΩ/85mΩ,750V11mΩ/
•18mΩ/25mΩ/40mΩ,650V18mΩ/
•30mΩ/40mΩ/60mΩ
•SiCSBD:1200V10A/15A/20A
可适配AI服务器电源应用，保障稳定算力输出。
02、HVDC高压直流：架构优化降本
传统低压母线供电线路损耗偏高，电能转换层级繁琐，设备柜体占用大量机房空间，场地与电力成本高。SiC功率器件助力800VHVDC高压直流架构落地，能精简电能变换，显著降低机房整体能耗。本次展示的系列产品：
•功率模组:EASY2B1200V5mΩ
•SiCMOSFET:1500V13mΩ/20mΩ/
•35mΩ,1200V11mΩ/13mΩ/16mΩ/
•20mΩ/30mΩ,750V11mΩ/18mΩ/
•25mΩ/40mΩ
•SiCSBD:1200V20A/30A/40A
均可充分适配HVDC系统前级PFC与DC-DC变换单元。
03、UPS不间断电源：可靠持续供电
AI业务负载波动幅度大，常规UPS设备转换效率不足，长期运维检修成本偏高，无法满足高可靠性的算力保障需求。方正微电子的SiC产品历经3000小时加严可靠性测试，工况适配性与运行稳定性表现和好展台展示的核心产品：
•功率模组:EASY2B1200V5mΩ
•SiCMOSFET:1200V11mΩ/13mΩ/
•20mΩ/30mΩ/35mΩ,750V11mΩ/
•18mΩ/25mΩ/40mΩ,650V18mΩ/30mΩ/40mΩ/60mΩ
•SiCSBD:1200V10A/15A/20A/30A/40A
以上产品专为中高压UPS双向变换场景打造，可实现毫秒级切换响应，为算力运转筑牢可靠供电屏障。
04、SST固态变压器：打造新型供电系统
传统变压器体型笨重、空间利用率低，工作效率存在固有局限，且无法实现灵活动态的电压调节，适配新型算力架构的能力不足。
作为SST固态变压器核心元器件，方正微电子的1200V/1500V/1700V/2300V级SiC芯片，可实现高压直降800V，省去多级降压流程，设备占地面积大幅缩减，运行效率大幅提高，契合下一代数据中心轻量化、智能化供电的发展趋势。现场陈列的：
•功率模组:EASY2B1200V5mΩ,EASY3B1400V6.5mΩ
•SiCMOSFET:2300V系列,1700V900mΩ,1500V13mΩ/20mΩ/35mΩ,1200V9mΩ/11mΩ/13mΩ/16mΩ
深度匹配SST高频高压工况。
本次展会是方正微电子展示SiC技术实力、对接行业伙伴的良好契机。方正微电子将持续发力数据中心赛道，期待与更多合作伙伴携手同行，以硬核SiC技术赋能AI智算，共建绿色的新一代数据中心生态。
